21일 한국과학기술원(KAIST)에 따르면 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 한양대 연구진과 차세대 메모리 소자의 신뢰성과 성능을 높일 수 있는 '이종원자가 이온' 도핑 방법을 개발했다.
연구팀은 기존 차세대 메모리 소자의 가장 큰 문제인 불규칙한 소자 특성 변화 문제를 개선하기 위해 이종원자가 이온을 도핑하는 방식으로 소자의 균일성과 성능을 향상할 수 있다는 사실을 실험과 원자 수준의 시뮬레이션을 통해 원리를 규명했다.
연구팀은 불규칙한 소자 신뢰성 문제를 해결하기 위해 이종원자가 할라이드 이온을 산화물층 내 적절히 주입하는 방법이 소자의 신뢰성과 성능을 향상할 수 있음을 보고했다. 연구팀은 이러한 방법으로 소자 동작의 균일성, 동작 속도, 성능이 증대됨을 실험적으로 확인했다.
또 원자 단위 시뮬레이션 분석을 통해 결정질과 비결정질 환경에서 모두 실험적으로 확인한 결과와 일치하는 소자 성능 개선 효과가 나타남을 보고했다.
이러한 과정에서 도핑된 이종원자가 이온이 근처 산소 빈자리를 끌어당겨 안정적인 소자 동작을 가능하게 하고, 이온 근처 공간을 넓혀 빠른 소자 동작을 가능하게 하는 원리도 밝혀냈다.
글로벌에픽 증권팀 박진현 기자 epic@globalepic.co.kr