14일 한 매체에 따르면 첨단 공정인 7나노 이하 시장에서는 TSMC가 70% 이상을 점유하며 독주하고 있는 가운데 삼성전자는 다시 한번 GAA(Gate-All-Around) 카드를 내밀 계획이라고 보도했다.
삼성전자가 2나노 공정의 핵심 기술로 내세운 GAA는 기존 FinFET 대비 트랜지스터 성능을 대폭 개선한 구조다. FinFET은 핀(Fin) 모양의 채널에 게이트를 세 면으로 감싸는 반면, GAA는 나노 와이어 형태의 채널을 게이트가 둘러싸는 형태로 채널을 360도 감싸게 된다. 이를 통해 게이트의 채널 제어력을 높여 누설전류를 최소화하고 트랜지스터 성능을 개선할 수 있다.
GAA 기술은 이미 3나노 공정에서 선보인 바 있다. 삼성전자는 지난 2022년 7월 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 제품 출하식을 열었지만 신기술 도입에 따른 수율을 확보하지 못해 애플 등 주요 고객사를 TSMC에 빼앗겼다.
한편 삼성전자를 고객사로 두고 국내 유일 3나노 5나노 공정의 반도체 건식 식각 장비 부품용 초고밀도 코팅 기술을 보유하고 있는 그린리소스가 주목을 받고 있다. 그린리소스는 초미세화 반도체 식각 공정 장비 부품 코팅 기술에 해당되는 PVD(Physical Vapor Deposition) 적용 초고밀도 내플라즈마 코팅 기술을 보유하고 있으며, 주요 고객사로는 삼성전자, 중국 식각장비 1위업체 NAURA 이다.
특히 3nm, 5nm 공정의 반도체 식각 장비 부품 초고밀도 코팅 기술을 보유한 국내 유일의 업체로 알려져 있다.